硅探測器

產品簡介
硅探測器
? 室溫型探測器
? 使用范圍：200-1100nm
? 兩種型號的探測器室的外觀相同，其中：
? DT-Si200型內裝進口紫敏硅光電探測器
? DT-Si300型內裝進口藍光增強型硅光電探測器

Name: 硅探測器
Brand: 其他品牌
Availability: InStock

產品型號：

更新時間：2025-12-24

廠商性質：生產廠家

訪問量：2496

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產品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

光電探測器

X射線探測器 EMCCD 門控相機科研級CMOS 光譜相機紅外探測器硅和光電倍增管射頻信號發生器激光束分析儀功率/能量/波長計高速相機科研級CCD相機時間閘門ICCD 探測器放大器碲鎘汞探測器銻化銦探測器砷化銦探測器硫化鉛探測器高速探測器銦鎵砷探測器硅探測器光電倍增管

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硅探測器

• 室溫型探測器

• 使用范圍：200-1100nm

• 兩種型號的探測器室的外觀相同，其中：

• DT-Si200型內裝進口紫敏硅光電探測器

• DT-Si300型內裝進口藍光增強型硅光電探測器

技術指標＼型號名稱	DT-Si200 紫敏硅探測器	DT-Si300 藍光增強型硅探測器
	進口紫外增強型	進口藍光增強型
有效接收面積(mm2)	100(Φ11.28)	100(Φ11.28)
波長使用范圍(nm)	200-1100	350-1100
峰值波長(nm)，典型值	820nm	970nm
峰值波長響應度(A/W)	0.52	0.60(>0.55)
典型波長的響應度(A/W)	0.14(>0.09)@254nm	0.20(>0.15)@410nm
響應時間(μs)	5.9	2
工作溫度范圍(℃)	-10～+60	-10～+60
儲存溫度范圍(℃)	-20～+70	-20～+70
分流電阻RSH(MΩ)	10(>5)	(>10)
等效噪聲功率NEP(W/√Hz)	4.5×10-13	2.0×10-13
*大操作電流(mA@0V bias)	0.1	10.0
結電容(pf@0V bias)	4500	8800
信號輸出模式	電流	電流
輸出信號極性	正（P）	正（P）

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